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MUBW 35-12 A8
Input Rectifier Bridge D11 - D16
120
200
10 3
I t
I F
A
100
80
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
A
150
I FSM
T VJ = 45°C
2
A 2 s
60
40
100
T VJ = 150°C
T VJ = 45°C
T VJ = 150°C
50
20
50Hz, 80% V RRM
0
0
10 2
0.0
0.6
1.2
1.8 V
2.4
0.001
0.01
0.1
s
1
1
2
3
8 9
4 5 6 7 ms 10
350
W
300
250
P tot
200
150
V F
Fig. 1 Forward current versus
voltage drop per diode
t
Fig. 2 Surge overload current
R thA :
0.05 K/W
0.15 K/W
0.3 K/W
0.5 K/W
1 K/W
2 K/W
5 K/W
80
A
70
I d(AV)
60
50
40
30
t
Fig. 3 I 2 t versus time per diode
100
20
50
0
10
0
0
40
80
120
A
0
20
40
60
80 100 120 140 C
0
20 40 60 80 100 120 140 C
I d(AV)M
T amb
T C
Fig. 4
Power dissipation versus direct output current and ambient temperature, sin 180°
Fig. 5 Max. forward current
versus case temperature
K/W
1.2
Z thJC
0.8
0.4
0.0
DWN 17
0.001
0.01
0.1
1
s
10
Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case
? 2007 IXYS All rights reserved
t
20070912a
5-8
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